Усилитель мощности К174УН8

    

---

        Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощность до 2 Вт на нагрузку 4 Ом. Содержит 30 интегральных элементов. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.9-1. Масса не более 2,0 гр.

 

	Назначение выводов: 1 - коррекция Icc выходных транзисторов; 2 - обратная связь; 3 - теплоотвод; 4 - вход; 5 - фильтр; 6 - вольтодобавка; 7 - питание +Uи.п.; 8 - выход; 9 - общий -Uи.п..
Корпус ИМС К174УН8 (тип 201.9-1)

 

Принципиальная схема ИМС К174УН8

Типовая схема включения ИМС К174УН8

Схема включения ИМС К174УН8 с заземленной нагрузкой

 

Электрические параметры

1	Номинальное напряжение питания	12 В ± 10%
2	Ток потребления при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, Uвх = 0 В	Ј 15 мА
3	Коэффициент усиления при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В	4…40
4	Нестабильность коэффициента усиления напряжения при   Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Rн = 4 Ом	Ј 20 %
5	Коэффициент гармоник при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, fвх = 1 кГц   Uвых = 2,83 В, Рвых = 2 Вт	Ј 2 %
6	Входное сопротивление при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц	і 10 кОм
7	Выходная мощность при Uп = 12 В, Rн = 4 Ома	Ј 2,5Вт
8	Диапазон рабочих частот	30…20 000 Гц
9	Коэффициент полезного действия при Pвых = 2 Вт	50 %

 

Предельно допустимые режимы эксплуатации

1	Напряжение питания	13,2 В
2	Амплитудное значение тока в нагрузке	1,09 А
3	Сопротивление нагрузки	і 4 Ом
4	Тепловое сопротивление:     кристалл-корпус     кристалл-среда	60°С/Вт   135°С/Вт
5	Температура окружающей среды	-25...+55°С
6	Температура кристалла	+125 °С

 

Общие рекомендации по применению

        При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки 235 ± 5 °С, расстояние от корпуса до места пайки на более 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания.

        Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода. Допускается включение нагрузки относительно общего вывода (с заземленной нагрузкой).

        Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющие вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода для соединения с навесными элементами, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.

        Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах осуществляется изменением емкостей конденсаторов С2 и С4, а во всей полосе пропускания - изменением глубины отрицательной обратной связи, регулировкой сопротивления R1 и емкостью C2.

        Допустимое значение статического потенциала 200 В.

 

Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.

---

---