Усилитель мощности К174УН5

К174УН5

Микросхема представляет собой усилитель мощности с номинальной выходной мощностью 2 Вт при нагрузке 4 Ом для работы в звуковых трактах аппаратуры. Содержит 42 интегральных элемента. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.12-1 и второй вариант приведен на рисунке, масса не более 2 гр.

	Назначение выводов: 1(33),12(37) - общий 2(29) - выход 4(25) - напряжение питания 5(2),8(10) - фильтр 6(12) - вход 2 7(14) - вход 1 9(6),11(22) - коррекция (в скобках указаны номера выводов для второго варианта корпуса)
Корпус ИМС К174УН5* (238.12-1).*

Второй вариант корпуса ИМС К174УН5.

Принципиальная схема ИМС К174УН5.

Типовая схема включения ИМС К174УН5.

Электрические параметры

1	Номинальное напряжение питания	12 В ± 10 %
2	Ток потребления при U_п = 12 В	Ј 30 мА
3	Коэффициент усиления при U_п = 12 В, f_вх = 1 кГц	80 ... 120
4	Нестабильность коэффициента усиления напряжения при U_п = 12 В, f_вх = 1 кГц не более	± 20 %
5	Коэффициент нелинейных искажений при U_п = 12 В, f_вх = 1 кГц, P_вых = 2 Вт	Ј 1,0 %
6	Входное сопротивление при U_п = 12 В, f_вх = 1 кГц	і 10 кОм
7	Номинальная мощность отдаваемая в нагрузку R_н = 4 Ома при U_п = 12 В	2,0 Вт
8	Диапазон рабочих частот по уровню 3 дБ	30 ... 20 000 Гц

Предельно допустимые режимы эксплуатации

1	Напряжение питания	Ј 13,2 В
2	Максимальное напряжение синфазных сигналов	Ј 5,5 В
3	Максимальная амплитуда выходного напряжения	Ј 1,5 В
4	Амплитуда тока в нагрузке разового сигнала	Ј 1,45 А
5	Максимальная длительность выходного импульса при скважности 3	Ј 30 мС
6	Активное сопротивление нагрузки	і 3,2 Ом
7	Температура кристалла	+125 °С
8	Тепловое сопротивление: кристалл-корпус кристалл-среда	20 °С/Вт 100 °С/Вт
9	Температура окружающей среды	-25 ... +55 °С

Общие рекомендации по применению

Не допускается эксплуатация микросхемы в режиме, при котором два параметра имеют предельно допустимые значения.

При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена ее защита от случайного увеличения напряжения питания. Эксплуатация микросхемы допускается только с применением теплоотвода.

При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки при монтаже микросхемы не более 265°С, продолжительность пайки вывода не более 3 с, интервал между пайками соседних выводов - 10 с. Расстояние от корпуса до места пайки на менее 1 мм.

При монтаже микросхемы рекомендуется предусматривать наименьшую длину выводов навесных элементов для уменьшения влияния паразитных связей. Замену микросхемы необходимо производить только при отключенном источнике питания.

Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.