| Портал для радиолюбителей |
Последнее пополнение в семействе силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET) MDmesh™ V на базе лидирующей на сегодняшний день технологии Super-Junction (Супер-переход), устанавливает новый рекорд, позволяющий еще больше повысить эффективность бытовых приборов и преобразователей солнечной энергии.
Женева, 20 декабря 2011 года - STMicroelectronics (обозначение Нью-Йоркской биржи: STM), глобальный лидер индустрии полупроводников, предоставляющий целый спектр услуг в области электроники, побил мировой рекорд высоковольтных мощных полевых МОП-транзисторов представлением нового члена семейства MDmesh V, уже лидировавшего в отрасли по эксплуатационным характеристикам, имеющего наилучшее сопротивление открытого канала на единицу площади кристалла для достижения наивысшей производительности и плотности мощности в классе устройств до 650В, что позволяет улучшить ключевые показатели эффективности более чем на 23%. Это является гигантским скачком в уменьшении тепловых потерь энергии в преобразователях электроэнергии, используемых в таких системах, как электронное управление освещением, блоки питания бытовых приборов и преобразователи солнечной энергии.
”Новый рекорд подчеркивает и укрепляет лидерство компании ST в области полевых МОП-транзисторов на базе технологии Super-Junction, в которой наши MDmesh V представляют последнее достижение хорошо зарекомендовавшей себя технологии Multi-Drain Mesh (мультистоковая ячейка – прим. пер.) компании ST”,
Комментарии:
Добавить комментарий:
| © PavKo, 2007-2018 Обратная связь Ссылки |