Новый GaN транзистор EPC2012 компании Efficient Power Conversion
Новый GaN транзистор EPC2012 компании Efficient Power Conversion
Компания Efficient Power Conversion представила новый GaN транзистор EPC2012, работающий в режиме обогащения, который удовлетворяет требованиям предельного содержания вредных веществ и не содержит галогенов. Ширина затвора транзистора составляет 1.6 мм. Компонент рассчитан на напряжение «сток-исток» 2200 В, максимальное сопротивлением «сток-исток» в открытом состоянии 100 мОм при напряжении на затворе 5 В. Транзистор имеет лучшие характеристики в сравнении с элементами первого поколения. EPC2012 рассчитан на силу тока 15 А в импульсном режиме (в сравнении с EPC1012, который рассчитан на силу тока 12 А). Область применения нового компонента: высокоскоростные DC-DC источники питания, преобразователи, усилители звуковой частоты класса D, высокочастотные схемы. Цена EPC2012 составляет $2.10 в партии 1000 штук.