Новый GaN транзистор компании Toshiba America Electronic Components

    

---

<< Назад, к списку новостей    Дата: 2011-06-20

---

   Компания Toshiba America Electronic Components представила новый GaN транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) TGI1314-25L, который оптимизирован для применения в спутниковых телекоммуникационных приложениях Ku-диапазона, включая VSAT. Диапазон рабочих частот транзистора от 13.75 ГГц до 14.5 ГГц. Компонент обеспечивает выходную мощность +44 дБм при входном уровне +39 дБм. Коэффициент усиления в линейном режиме 8 дБ, ток потребления 2.5 А.

   Источник

---

Комментарии:

Нет ни одного комментария. Ваш будет первым!

---

Добавить комментарий:

	Ваше имя:
	Комментарий:
	Защита от автозаполнения:

---

---