GaN транзистор T1G4005528-FS компании TriQuint

    

---

<< Назад, к списку новостей    Дата: 2011-05-27

---

   Компания TriQuint представила GaN транзистор с высокой подвижностью электронов T1G4005528-FS, выполненный на подложке SiC с использованием технологического процесса 0.25 мкм. Диапазон рабочих частот от 0 до 3.5 ГГц. Коэффициент усиления в линейном режиме 15 дБ на частоте 3.5 ГГц. Типовое напряжение питания 28 В. Выходная мощность при сжатии коэффициента усиления на 3 дБ составляет 55 Вт на частоте 3.5 ГГц. Основные приложения для применения: радары и авионика, профессиональная и военная радиосвязь, широкополосные и узкополосные усилители. Компонент удовлетворяет требованиям предельного содержания вредных веществ и не содержит свинца.

   Источник

---

Комментарии:

Нет ни одного комментария. Ваш будет первым!

---

Добавить комментарий:

	Ваше имя:
	Комментарий:
	Защита от автозаполнения:

---

---