| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XPT IGBT-транзисторы более мощные и с лучшими характеристиками на ток до 210 А от IXYS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
XPT IGBT-транзисторы более мощные и с лучшими характеристиками на ток до 210 А от IXYS
Компания IXYS начала производство новых XPT (extreme light punch through) IGBT-транзисторов с номинальными токами от 100 до 210 А при температуре 25 °С. Новые IGBT имеют отличные характеристики:
Транзисторы имеют прямоугольную безопасную рабочую зону обратного смещения (RBSOA) и расширенную безопасную рабочую зону прямого смещения (FBSOA), что положительно сказывается на надежности их работы. Новые XPT IGBT-транзисторы производятся в двух модификациях по диапазону рабочей частоты. Модификация B3 оптимизирована для работы на частотах 10…30 кГц, а модификация C3 — на частотах 20…60 кГц. Так же есть модификации с встроенным анти-параллельными быстрыми диодами серии Sonic-FRDTM (индекс H1, например, IXXK100N60C3H1) и серии HiPerFREDTM (индекс D1, например, IXXH50N60C3D1). Нужно отметить повышенную рабочую температуру (до 175 °С) и положительный температурный коэффициент напряжения насыщения. Это позволяет легко применять параллельное подключение нескольких XPT транзисторов для достижения нужной мощности. Краткие характеристики новых XPT IGBT:
Благодаря своим характеристикам, эти транзисторы идеальны для применения в инверторах, устройствах бесперебойного питания (UPS), устройствах управления электродвигателями, корректорах коэффициента мощности (PFC), зарядных устройства, сварочных аппаратах, балластах для газоразрядных ламп и др. Более подробную информацию Вы можете получить, обратившись к нам по электронной почте. Комментарии:Добавить комментарий: |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|