Портал для радиолюбителей
   XPT IGBT-транзисторы более мощные и с лучшими характеристиками на ток до 210 А от IXYS
    


XPT IGBT-транзисторы более мощные и с лучшими характеристиками на ток до 210 А от IXYS
<< Назад, к списку новостей    Дата: 2011-02-22

Компания IXYS начала производство новых XPT (extreme light punch through) IGBT-транзисторов с номинальными токами от 100 до 210 А при температуре 25 °С. Новые IGBT имеют отличные характеристики:

  • Напряжение насыщения (Vcesat) — до 1,8 В
  • Низкое время спада тока (tfi) — до 42 нсек
  • Малая энергия выключения (Eoff) — до 0,48 мДж

Транзисторы имеют прямоугольную безопасную рабочую зону обратного смещения (RBSOA) и расширенную безопасную рабочую зону прямого смещения (FBSOA), что положительно сказывается на надежности их работы.

Новые XPT IGBT-транзисторы производятся в двух модификациях по диапазону рабочей частоты. Модификация B3 оптимизирована для работы на частотах 10…30 кГц, а модификация C3 — на частотах 20…60 кГц. Так же есть модификации с встроенным анти-параллельными быстрыми диодами серии Sonic-FRDTM (индекс H1, например, IXXK100N60C3H1) и серии HiPerFREDTM (индекс D1, например, IXXH50N60C3D1). Нужно отметить повышенную рабочую температуру (до 175 °С) и положительный температурный коэффициент напряжения насыщения. Это позволяет легко применять параллельное подключение нескольких XPT транзисторов для достижения нужной мощности.

Краткие характеристики новых XPT IGBT:

Тип VCES
(В)
IC25
Tc=25 єC
(A)
IC110
Tc=110 єC
(А)
Vcesat
max
(В)
tfi
typ
(нс)
Еoff typ
TJ=125 єC
(мДж)
RthJC
max
(°C/W)
Конфигурация Корпус
IXXH100N60B3 600 210 100 1,8 150 2,80 0,18 Одиночный TO-247
IXXK100N60B3H1 600 190 100 (90 єC) 1,8 150 2,80 0,18 Встроенный Sonic-FRD диод TO-264
IXXH50N60C3 600 100 50 2,3 42 0,48 0,25 Одиночный TO-247
IXXH50N60C3D1 600 100 50 2,3 42 0,48 0,25 Встроенный HiPerFRED диод TO-247
IXXH100N60C3 600 190 100 2,2 75 1,40 0,18 Одиночный TO-247
IXXK100N60C3H1 600 170 100 (90 єC) 2,2 75 1,40 0,18 Встроенный Sonic-FRD диод TO-264

 

Благодаря своим характеристикам, эти транзисторы идеальны для применения в инверторах, устройствах бесперебойного питания (UPS), устройствах управления электродвигателями, корректорах коэффициента мощности (PFC), зарядных устройства, сварочных аппаратах, балластах для газоразрядных ламп и др.

Более подробную информацию Вы можете получить, обратившись к нам по электронной почте.


Комментарии:

Нет ни одного комментария. Ваш будет первым!


Добавить комментарий:

Ваше имя:
Комментарий:
Защита от автозаполнения:


    © PavKo, 2007-2018   Обратная связь   Ссылки   Яндекс.Метрика