| Яю№ђры фыџ №рфшюыўсшђхыхщ |
аабаабабахб Vishay Intertechnology, Inc абаааааааб аааба p-ааааабаба бахаааба MOSFET-ббаааахббабб а аабаббаб PowerPAKТ 1212-8 ах PowerPAK 1212-8S б аааббаааахаа ббаа-ахббаа -40 а ах -30 а баабаабббааааа, ахааабааааааба аа бабаааааахах TrenchFETТ Gen III. аабаабабахабббб абааббааааа-аахаааха баабабахааааахаа а абабббаа баббабаахах абах аааббаааахбб аабааб-ахббаа -10 а ах -4.5 а, ббаааахббаб Vishay Siliconix SiS443DN баабаббб аабаба -40 а p-ааааабаба Gen III ббббааббааа, а ба абааб ааа SiSS27DN аабаба -30 а MOSFET-ббаааахббабаа а аабабба PowerPAK 1212-8S.
SiS443DN ах SiSS27DN аабахаахаахбааааб ааб аабаааббабаааа аааббааах аааббаааахаа 24 а, 19 а ах 12 а, ах аааабабабб ах аабабааабб абааббабаааа а бахбаааа аахааааааа абахааааааха, аааббаб бабааааааха аахбааахаа а аабааабабб аааабббабаб, баабббаааб ах аааабабаб. абааббааааа-аахаааа баабабахаааааха а абабббаа баббабаахах аааааабаб баабаааббахааа ааббахбб аахааааа аааааахб аааббаааахб а бааахб ббаааб ах бааааббабаб ааааа бббаабахааааб ахбааабаааааахб аахбааахб ах ааахбаабаааб абааааах бааабб аб аабабаа.
ааб абахааааааха, ббаабббахб ааааа аббааахб ааабаааха аааббаааахб, -40 а SiS443DN ааабаабахаааб ааабахааабааа баабабахаааааха а абабббаа баббабаахах аааахбахааа 11.7 ааа (-10 а) ах 16 ааа (-4.5 а) а аабабба PowerPAK 1212-8 баааабаа 3.3 аа аа 3.3 аа. ааааа аааахбахаа баабабахааааахб а абабббаа баббабаахах баабаббб абахбахбаба аабаааббаа, SiSS27DN абаааааааб аахаааха ааабааахб 5.6 ааа (-10 а) ах 9 ааа (-4.5 а) а аабабба PowerPAK 1212-8S б аахаааха абабахааа аааахбахааа 0.75 аа.
SiS443DN ах SiSS27DN ааааабббб абабаах баббб Rg ах UIS. MOSFET-ббаааахббабб бааббббб аааааааааааабаах а баабаабббаахах ба ббааааббаа JEDEC JS709A ах бааааабаабббб аахбаабахаа RoHS Directive 2011/65/EU.
а ааббаббаа абааб аабббааб аабаабб ах абаахааааббааааба ааббахах ааабб p-ааааабабб MOSFET-ббаааахббабаа, абааб абааааааахб аааааа баббааабаб 14-16 аааааб ааб аббаабб ааааааа.
Ъюььхэђр№шш:
Фюсртшђќ ъюььхэђр№шщ:
| Љ PavKo, 2007-2018 Юс№рђэрџ ётџчќ бёћыъш |