ЭЛТЕХ: Новые высоковольтные P-канальные MOSFET-транзисторы от IXYS

    

---

<< Назад, к списку новостей    Дата: 2010-12-10

---

Компания IXYS расширяет линию P-канальных MOSFET-транзисторов. Транзисторы производятся по TrenchP^TM технологии в стандартных корпусах TO-252, TO-263, TO-220 и TO-247.

Из особенностей транзисторов можно отметить:

• Нормированные лавинные характеристики
• Расширенную FBSOA (безопасную рабочую зону прямого смещения)
• Встроенный быстрый диод
• Малое сопротивление открытого канала R_DS(ON) и заряд затвора Q_G
• Высокую удельную мощность

Возможные области применения:

• Высоковольтные переключатели
• Двухтактные усилители
• Чопперные схемы
• Измерительное оборудование
• Стабилизаторы тока
• Зарядные устройства

Краткие технические характеристики:

Наименование	Корпус	Напряжение сток-исток VDSS, В	Ток стока при 25 єС ID25, А	Сопротивление открытого канала RDS(on), мОм	Мощность PD, Вт	Заряд затвора, QG(on), нКл	Время восстановления trr, нсек	Рабочая температура кристалла TJ, єС
IXTA32P20T	TO-263	-200	-32	130	300	185	190	-55…+150
IXTP32P20T	TO-220
IXTH32P20T	TO-247
IXTY15P15T	TO-252	-150	-15	240	150	48	120	-55…+150
IXTA15P15T	TO-263
IXTP15P15T	TO-220
IXTY10P15T	TO-252	-150	-10	350	83	36	120	-55…+150
IXTA10P15T	TO-263
IXTP10P15T	TO-220
IXTY26P10T	TO-252	-100	-26	90	150	52	70	-55…+150
IXTA26P10T	TO-263
IXTP26P10T	TO-220
IXTY48P05T	TO-252	-50	-48	30	150	53	30	-55…+150
IXTA48P05T	TO-263
IXTP48P05T	TO-220

 

	TO-252	TO-263	TO-220	TO-247

 

Заказать образцы для оценки возможности применения новых транзисторов в Вашей аппаратуре и получить более подробную информацию можно в любом офисе компании ЭЛТЕХ, на сайте производителя или написав по электронной почте.

---

Комментарии:

Нет ни одного комментария. Ваш будет первым!

---

Добавить комментарий:

	Ваше имя:
	Комментарий:
	Защита от автозаполнения:

---

---