Cверхбыстрый 600 В MOSFET + защитный диод от IXYS

Cверхбыстрый 600 В MOSFET + защитный диод от IXYS

<< Назад, к списку новостей Дата: 2010-09-25

Компания IXYS выпустила первого представителя нового семейства сверхбыстрых чопперов MKE — MKE11R600DCGFC в корпусе ISOPLUS i4TM. MKE11R600DCGFC состоит из 600 В MOSFET-транзистора и SiC-диода 600 В/12 А на одном чипе в конфигурации «boost chopper».

Применение SiC-диода позволяет добиться очень высокой эффективности при малых потерях на коммутацию. Одновременно, расположение диода и транзистора на общей подложке позволило существенно снизить вносимую индуктивность, а удобная топология корпуса позволяет существенно упростить разработку конструктива.

Технология ISOPLUS предлагает разработчику дискретный изолированный корпус на DCB-подложке с меньшим тепловым сопротивлением и более высокой надежностью, по сравнению со стандартными неизолированными корпусами на медном основании. Интеграция COOLMOS® CP MOSFET и SiC-диода в корпусе ISOPLUS i4TM обеспечивает высокую удельную мощность и высокую надежность при одновременном уменьшении габаритных размеров и потерь.

Основные характеристики:

Рабочая температура (TVJ): -55…+155 єC
Изоляция: 2500 В AC

MOSFET:

Максимальный ток (при 25 єС и при 90 єС): ID25 15 A; ID90 11 А
Напряжение сток-исток (VDSS): 600 В
Максимальное сопротивление открытого канала (RDS(on) max): 0,165 Ом
Скорость нарастания (dV/dt): 50 В/нс

SiC диод:

Рабочее напряжение (VRRM): 600 В
Максимальный ток (при 25 єС и при 90 єС): IF25 14 A; IF90 8 А

Чоппер MKE11R600DCGFC найдет применение в импульсных источниках питания, источниках бесперебойного питания, схемах корректоров коэффициента мощности и др.

Более подробную информацию можно получить у технических специалистов компании, обратившись в любой офис ЭЛТЕХ, или на сайте производителя.

Комментарии:

Добавить комментарий: