GaN транзисторы для построения усилителей L C диапазона

    

---

<< Назад, к списку новостей    Дата: 2010-08-12

---

   Компания Mitsubishi Electric анонсировала разработку трех моделей нитрид галлиевых (GaN) транзисторов с высокой подвижностью электронов с выходной мощностью 10 Вт (MGF0840G), 20 Вт (MGF08403G) и 40 Вт (MGF0846G). Транзисторы предназначены для применения в усилителях L – C диапазона (0.5 ГГц – 6 ГГц), которые входят в состав базовых станций мобильной связи, VSAT терминалов и другого оборудования передачи данных. Продажи компонентов начнутся в августе 2010 года.

   Источник

---

Комментарии:

Нет ни одного комментария. Ваш будет первым!

---

Добавить комментарий:

	Ваше имя:
	Комментарий:
	Защита от автозаполнения:

---

---